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智能離子束刻蝕設(shè)備IBE-150/MIBE-150型

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更新時間：2023-06-29 12:42:56瀏覽次數(shù)：273次

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品用途與特點(diǎn)：1、本產(chǎn)品利用低能量平行Ar﹢離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品用途與特點(diǎn)：

1、本產(chǎn)品利用低能量平行 Ar﹢離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率，陡直性特點(diǎn)，并且可以對絕大部分材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

2、設(shè)備采用圓形離子源，自轉(zhuǎn)且角度可調(diào)水冷工作臺。

3、主要應(yīng)用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械、新材料、新能源等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

4、產(chǎn)品適合于科研院所、大專院校、中小型生產(chǎn)企業(yè)的科研及教學(xué)。


產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)：

1、真空系統(tǒng)：分子泵機(jī)組。

2、離子源形狀：圓形，平柵、聚焦柵。

3、離子源類型：直流離子源、射頻離子源。

4、中和方式：燈絲、等離子體橋。

5、離子源口徑：5cm、8cm、11cm、12cm、15cm、16cm 。

6、樣品有效刻蝕尺寸：Ф1 英寸～Ф4 英寸。

7、樣品臺轉(zhuǎn)速：5—30rpm 。

8、刻蝕角度調(diào)節(jié)：0～90 度。 

9、工作臺冷卻溫度：10℃ 。

10、刻蝕不均勻性：±2%～±5% 。

11、刻蝕速率：10nm～200nm/min。 

12、關(guān)鍵部件：可選配進(jìn)口、國產(chǎn)。

13、操作方式：可選擇手動、全自動控制模式。


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