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激光橢偏儀

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更新時間:2025-01-01 05:26:34瀏覽次數(shù):43次

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簡要描述:激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動準直透鏡確保在大多數(shù)平坦反射表面的吸收或透明襯底上進行準確測量。多角度測量的集成支持(40#176;—90#176;,5#176;步進),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數(shù)。為了補償激光橢偏測量中厚度測量的模糊性,在厚度測量中也采用了多角度測量。

亞埃精度

穩(wěn)定的氦氖激光器保證了0.1埃精度的超薄單層薄膜厚度測量。

擴展激光橢偏儀的極限

性能優(yōu)異的多角度手動角度計和角度精度*的激光橢偏儀允許測量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數(shù)和膜厚。

高速測量

我們的激光橢偏儀SE 400adv的高速測量速度使得用戶可以監(jiān)控單層薄膜的生長和終點檢測,或者做樣品均勻性的自動掃描。


激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動準直透鏡確保在大多數(shù)平坦反射表面的吸收或透明襯底上進行準確測量。多角度測量的集成支持(40°—90°,5°步進),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數(shù)。為了補償激光橢偏測量中厚度測量的模糊性,在厚度測量中也采用了多角度測量。

SENTECH激光橢偏儀SE 400adv,用于超薄單層薄膜的厚度測量。小型臺式儀器由橢偏儀光學部件、角度計、樣品臺、自動準直透鏡、氦氖激光光源和檢測單元組成。我們的激光橢偏儀SE 400adv的選項支持在微電子、光伏、數(shù)據(jù)存儲、顯示技術、生命科學、金屬加工等領域的應用。


Atomic layer deposited Al2O3 on silicon waferMulti-angle measurement for determining thickness of SiO2 / Si3N4 / Si (substrate)Manual goniometer with 5°-stepsSE 400adv with controllerX-y mapping stageLaser ellipsometer with microspot optionLaser ellipsometer SE 401adv for in-situ measurement in plasma process technologyLaser ellipsometer with liquid cell


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