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三相調(diào)壓雙硅移相觸發(fā)器模塊SAC-JKT

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湖南長(zhǎng)沙二八電氣設(shè)備有限公司

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外形尺寸安裝圖三相調(diào)壓雙硅移相觸發(fā)器模塊SAC-JKT(SX-JKT)電路圖注：圖中阻容吸收回路位置不能對(duì)調(diào)；圖中R：10Ω-51Ω，3W以上；C：0.1-0.47μf，400VAC以上

詳細(xì)介紹

外形尺寸安裝圖

三相調(diào)壓雙硅移相觸發(fā)器模塊SAC-JKT(SX-JKT)電路圖

注：圖中阻容吸收回路位置不能對(duì)調(diào)；圖中R：10Ω-51Ω，3W以上；C：0.1-0.47μf，400VAC以上。

三相調(diào)壓雙硅移相觸發(fā)器模塊SAC-JKT(SX-JKT)使用說明

1.在SAC-JKT的支持下，即可實(shí)現(xiàn)三組雙相可控硅所組成電路輸出交流電壓的無級(jí)可調(diào)。

2.整個(gè)電路可應(yīng)用于380VAC（260VAC-420VAC）﹑50Hz-60Hz的電網(wǎng)上，如用戶使用在低電壓上時(shí)，可向我公司定制。主電路中三相進(jìn)線（R﹑S﹑T)無相序要求，且進(jìn)線和可控硅三相觸發(fā)器之間必須嚴(yán)格一一對(duì)應(yīng),否則系統(tǒng)不能正常工作。

3.三相觸發(fā)器的觸發(fā)端（如A1﹑G1……A3﹑G3）為強(qiáng)觸發(fā)方式，可以觸發(fā)1000A以內(nèi)的任何雙向可控硅。這里所謂的強(qiáng)觸發(fā)方式的連線為A1﹑G1對(duì)應(yīng)KP1的陽(yáng)極和門極，而不是通常的陰極和門極。

4.三相觸發(fā)器模塊的弱電部分性能穩(wěn)定可靠，三路一致性也很好，但由于為強(qiáng)電觸發(fā)方式，故當(dāng)主電路中的任一可控硅因故障（門極損壞）而不能被觸發(fā)時(shí)，如觸發(fā)器模塊仍有控制電壓，則電網(wǎng)的電流從A端進(jìn)入，從G端再到負(fù)載，而電網(wǎng)電壓的極大部分則降在A﹑G兩端,這個(gè)電壓電流所產(chǎn)生的發(fā)熱，在數(shù)秒鐘使A﹑G兩端內(nèi)部器件燒毀。使用前A1、A3、A5須加51Ω1W電阻串聯(lián)在電路中保護(hù)。

5.主電路種可控硅的陽(yáng)極和陰極間必須加一阻容吸收回路保護(hù)，其中電阻一般選10Ω-51Ω﹑3W以上，電容選0.1-0.47μf﹑400VAC以上。

6.自動(dòng)控制0-5VDC信號(hào)使用CON5VDC和COM(地）模塊上，+﹑20mA﹑CON10V必須懸空。

7.自動(dòng)控制0-10VDC信號(hào)使用CON10V和COM(地）模塊上，+﹑CON5V﹑CON20mA必須懸空。

8.自動(dòng)控制4-20mA信號(hào)使用CON20mA和COM(地）模塊上，+﹑CON5V﹑CON10V必須懸空。

9.手動(dòng)控制信號(hào)使用+﹑CON10V和COM(地）模塊上，CON5V﹑CON20mA必須懸空。模塊上的"+"只提供手動(dòng)控制使用，不作它用。

10.0-5V、0-0.8V左右時(shí)為全關(guān)閉，0.8-4.6V左右時(shí)為可調(diào)區(qū)域，4.6-5V左右時(shí)為全開通區(qū)域，交流電壓為值。

11.0-10V、0-1.6V左右時(shí)為全關(guān)閉，1.6-9.5V左右時(shí)為可調(diào)區(qū)域，9.5-10V左右時(shí)為全開通區(qū)域，交流電壓為值。

12.4-20mA、0-4.5mA左右時(shí)為全關(guān)閉，4.5-19.5mA左右時(shí)為可調(diào)區(qū)域，19.5-20mA左右時(shí)為全開通區(qū)域，交流電壓為值。

13.一般用于阻性負(fù)載加熱、恒流、調(diào)光等。

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