PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備。一款獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺式設(shè)備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進(jìn)行拋光，去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在 SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

詳細(xì)介紹

PECS II精密刻蝕鍍膜儀

儀器簡介：

PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備。

對于同一個樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜。

一款獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺式設(shè)備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進(jìn)行拋光，去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在 SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

采用 WhisperLok®技術(shù)，可選配溫控液氮冷卻臺。該功能有助于避免拋光過程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化。

PECS II內(nèi)置了一個 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級用戶，都可提高樣品的加工可控性及可重復(fù)性。數(shù)碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件，可實(shí)現(xiàn)對樣品加工過程的實(shí)時監(jiān)控及儲存彩色照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析。

性能優(yōu)點(diǎn)：

WhisperLok 系統(tǒng)：無需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品。
低能聚焦潘寧離子槍：可加工對表面損傷敏感的樣品，包括 EBSD和 CL。
能量從0.1 – 8.0 keV可調(diào): 改進(jìn)低能拋光效果，減少非晶層；提供更高的能量，以提高拋光速度。
液氮樣品冷卻：保護(hù)樣品，避免離子束熱損傷，去除可能的假象。
10 英寸觸摸屏控制：快速，簡便地訪問所有的控制參數(shù)；無需電腦。
數(shù)碼變焦顯微鏡：實(shí)時監(jiān)控加工過程。
DigitalMicrograph 軟件彩照存儲：將存儲的光學(xué)圖像與其他分析系統(tǒng)的數(shù)據(jù)做關(guān)聯(lián)分析。
濺射沉積：濺射靶材至樣品表面，防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電。

主要應(yīng)用：

半導(dǎo)體
金屬（氧化物，合金）
陶瓷
自然資源

技術(shù)規(guī)格：

離子源
離子槍	兩個配有稀土磁鐵的潘寧離子槍
拋光角度	0 到18°，每支離子槍可獨(dú)立調(diào)節(jié)
離子束能量 (kV)	0.1 – 8.0
離子束流密度峰值(mA/cm2)	10
拋光速率 (µm/h)	90（對于硅試樣）
離子束直徑	可用氣體流量計(jì)或放電電壓來調(diào)節(jié)
樣品臺
樣品大小(長 × 寬 ×高, mm)	32 × 15
轉(zhuǎn)速 (rpm)	1 – 6
離子束調(diào)制	角度范圍可調(diào)的單向調(diào)制或雙向調(diào)制
樣品觀察	數(shù)碼變焦顯微鏡，配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件（選配件）
真空系統(tǒng)
干泵系統(tǒng)	兩級隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵
壓力 (torr)
基本壓力	5 × 10-6
工作壓力	8 × 10-5
真空規(guī)	冷陰極型，用于主樣品室；固體型，用于前級機(jī)械泵
樣品氣鎖	WhisperLok技術(shù)，樣品交換時間小于1 分鐘
用戶界面
10 英寸彩色觸摸屏	操作簡單，且能夠控制所有參數(shù)和配方式操作
尺寸及使用要求
外形尺寸 (長 × 寬× 高, mm)	575 × 495 × 615
運(yùn)輸重量(kg)	45
功耗 (W)
運(yùn)行時	200
待機(jī)時	100
電源要求	通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用戶額定電壓和頻率）
氬氣(psi)	25

訂貨編號：LR-200636

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