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北京冠測(cè)精電儀器設(shè)備有限公司


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北京冠測(cè)儀器GESTD-A GESTD-A 高頻介電常數(shù)測(cè)試儀報(bào)價(jià)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

GCSTD-A 介電常數(shù)測(cè)試儀及介質(zhì)損耗測(cè)試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 ASTMD150/IEC60250一、概述介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷

詳細(xì)介紹

GCSTD-A

介電常數(shù)測(cè)試儀及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

ASTM D150/IEC 60250

一、概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為準(zhǔn)。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

二、 儀器的技術(shù)指標(biāo)

1.Q值測(cè)量

a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c.標(biāo)稱誤差

項(xiàng) 目

GCSTD-A

頻率范圍

20kHz~50MHz;

固有誤差

≤5%±滿度值的2%;

工作誤差

≤7%±滿度值的2%;

頻率范圍

10MHz~60MHz;

固有誤差

≤6%±滿度值的2%;

工作誤差

≤8%±滿度值的2%。

2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H

3.電容測(cè)量:1~ 460

項(xiàng) 目

GCSTD-A

直接測(cè)量范圍

1~460pF

主電容調(diào)節(jié)范圍

準(zhǔn)確度

30~500pF

誤差:±(0.5%C+0.1 pF)

注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則

4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍

項(xiàng) 目

GCSTD-A

頻率范圍

10kHz~50MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字


5.Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍:5~1000。

6.Q表正常工作條件

a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

b.相對(duì)濕度 lt;80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

8.產(chǎn)品配置:

a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);

b.電感9只;

c.夾具一套

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