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上海乾拓貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品： 德國HYDAC壓力傳感器,德國AVENTICS電磁閥,日本smc氣動三聯(lián)件 |
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- 2025-04-14 10:04:45
- 有效期：
- 2025年4月14日--2025年7月13日
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其吸入流量Z大,稱為Z大吸入流量qv2max.吸入口處壓力:記為Pv.當吸入口被*封閉(如吸盤吸著工件),即吸入流量為零時,吸入口內(nèi)的壓力Z低,記作Pvmin.吸著響應時間:吸著響應時間是表明真空發(fā)生器作的一個重要參數(shù),它是指從換向閥打開到系統(tǒng)回路中達到一個必要的真空度的時間。
smc真空發(fā)生器，日本SMC發(fā)生器
其吸入流量zui大,稱為zui大吸入流量qv2max.吸入口處壓力:記為Pv.當吸入口被*封閉（如吸盤吸著工件）,即吸入流量為零時,吸入口內(nèi)的壓力zui低,記作Pvmin.吸著響應時間:吸著響應時間是表明真空發(fā)生器作的一個重要參數(shù),它是指從換向閥打開到系統(tǒng)回路中達到一個必要的真空度的時間.影響真空發(fā)生器的主要因素真空發(fā)生器的的zui小直徑,收縮和擴散管的形狀,通徑及其相應位置和氣源壓力大小等諸多因素有關.zui大吸入流量qv2max的特性分析:較為理想的真空發(fā)生器的qv2max特性,要求在常用供給壓力范圍內(nèi)（P01=0.4---0.5MPa）,qv2max處于zui大值,且隨著P01的變化平緩.吸入口處壓力Pv的特性分析:較為理想的真空發(fā)生器的Pv特性,要求在常用供給壓力范圍內(nèi)（P01=0.4---0.5MPa）,Pv處于zui小值,且隨著Pv1的變化平緩.在吸入口吵*封閉的條件下,對特定條件下吸入口處壓力Pv與吸入流量之間的關系如圖3所示.為獲得較為理想的吸入口處壓務與吸入流量的匹配關系,可設計成多真空發(fā)生器串聯(lián)組合在一起.擴散管的長度應保證噴管出口的各種波系充分發(fā)展,使擴散管道出口截面上能獲得近似的均勻流動.但管道過長,管壁摩擦損失增大.一般管工為管徑的6---10倍較為合理.為了減少能量損失,可在擴散管直管道的出口加一個擴張角為6°---8°的擴張段.吸著響應時間與吸附腔的容積有關（包括擴散腔,吸附管道及吸盤或密閉艙容積等）,吸附表面的泄漏量與所需吸入口處壓力的大小有關.對一定吸入口處壓力要求來說,若吸附腔的容積越小,響應時間越短;若吸入口處壓力越高,吸附容積越小,表面泄漏量越小,則吸著響應時間亦越短;若吸附容積大,且吸著速度要快,則真空發(fā)生器的噴嘴直徑應越大.真空發(fā)生器在滿足使用要求的前提下應smc真空發(fā)生器，日本SMC發(fā)生器減小其耗氣量（L/min）,耗氣量與壓縮空氣的供給壓力有關,壓力越大,則真空發(fā)生器的耗氣量越大.因此在確定吸入口處壓務值勤的大小時要注意系統(tǒng)的供給壓力與耗氣量的關系,一般真空發(fā)生器所產(chǎn)生的吸入口處壓力在20kPa到10kPa之間.此時供華表壓力再增加,吸入口處壓力也不會再降低了,而耗氣量卻增加了.因此降低吸入口處壓力應從控制流速方面考慮.有時由于工件的形狀或材料的影響,很難獲得較低的吸入口處壓力,由于從吸盤邊緣或通過工件吸入空氣,而造成吸入口處壓力升高.在這種情況下,就需要正確選擇真空發(fā)生器的尺寸,使其能夠補償泄漏造成的吸入口處壓力升高.由于很難知道泄漏時的有效截面積,可以通過一個簡單的試驗來確定泄漏造成的吸入口處壓力升高.由于很難知道泄漏時的有效截面積,可以通過一個簡單的試驗來確定泄漏量.試驗回路由工件,真空發(fā)生器,吸盤和真空表組成,由真空表的顯示讀數(shù),再查真空發(fā)生器的曲線,可很容易知道泄漏量的大小.當考慮泄漏時,真空發(fā)生器的特性曲線對正確確定真空發(fā)生器非常重要.泄有時是不可避免的,當有泄漏時確定真空發(fā)生器的大小的方法如下:把名義吸入流量與泄漏流量相加,可查出真空發(fā)生器的大小。SMC開發(fā)體系遵從產(chǎn)品開發(fā)的基本理念---"從客戶出發(fā)"，SMC投入了大量的人力、財力用于新產(chǎn)品的研發(fā)。這是未來潛在市場"基礎技術研究"的保證，也是即時適應市場需求、組織的保證。為了能對世界各地的客戶所提出的課題作出精準、迅捷之響應，SMC以日本技術中心為核心建立了一個龐大的性工程技術網(wǎng)絡，在美國、歐洲分別建立了氣動技術中心。各大氣動中心實現(xiàn)信息共享，并保持著緊密。這樣，SMC就能針對當?shù)匦枨笞鞒隹焖夙憫?。而且，在世界范圍?nèi)可為您提供同樣高的技術。真空發(fā)生器：真空發(fā)生器ZM、帶電子式延時器的真空發(fā)生器ZMA、真空發(fā)生器ZH、直通式真空發(fā)生器ZU、多真空發(fā)生器ZL112、ZL212、真空發(fā)生器與電磁閥組合元件ZYY、ZYX、薄型真空元件ZQ。
